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按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中，緩緩通入高濃氟氣，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳，四氟化碳生產廠家，為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，四氟化碳氣體，鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳是一種造成溫室效應的氣體。它非常穩(wěn)定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳一般認為是惰性低毒物質，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯化1碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，東莞四氟化碳，晶格常數(shù)為a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

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